IPD530N15N3G是英飞凌技术公司制造的功率MOSFET的零件号。
这种MOSFET是为高功率应用而设计的，通常用于电子电路和电源系统。
参数 IPD530N15N3 G
Ciss _ _ _ _667 pF
Coss _ _ _ 80 pF
内径（25°C时）最大 _ _ _ 21 A
IDpuls最大 _ _ _ 84 A
工作温度最低-最高 _ _ _ -55°C 175°C
Ptot最大 _ _ _ 68 W
极性 _ _ _ N
QG（典型值@10V） _ _ _ 8.7 nC
RDS（开启）（@10V）最大 _ _ _ 53米Ω
Rth _ _ _ _2.2 K/W
VDS最大 _ _ _ 150 V
VGS（th）最小值最大值 _ _ _ 3 V 2 V 4 V
